Çin yapımı grafen tabanlı bellek hız rekoru kırdı
Şanghay'da Fudan Üniversitesi'nde geliştirilen PoX adlı grafen tabanlı flaş bellek, saniyede 25 milyar işlem gerçekleştirerek veri yazma hızında yeni bir rekora imza attı. Önceki dünya rekorundan 10.000 kat daha hızlı çalışan PoX'in yüksek hızlı işlemcilerin veri yazma konusundaki darboğazını rahatlatması bekleniyor.
21 Nisan 2025 - 23:03
Şanghay’daki Fudan Üniversitesi’nden araştırmacılar, veri yazım hızında dünya rekoru kıran yeni bir flaş bellek cihazı geliştirdi. “PoX” adı verilen bu cihaz, verileri yalnızca 400 pikosaniyede (saniyenin trilyonda biri) programlayabiliyor. Bu da onu, şimdiye kadar geliştirilen en hızlı yarı iletken şarj depolama aygıtı haline getiriyor.
Yeni cihaz saniyede 25 milyar işlem gerçekleştirebiliyor ve bu performansıyla benzer teknolojilerde önceki dünya rekorunu tam 10.000 kat geride bırakıyor. Bu gelişme, özellikle yapay zeka gibi yüksek işlem gücü ve veri aktarım hızına ihtiyaç duyan alanlar için kritik bir dönüm noktası olabilir.
Geleneksel statik ve dinamik RAM türleri hızlı olsalar da geçici yapıları nedeniyle güç kesintisinde veri kaybına yol açıyor. Flash bellekler ise verileri kalıcı olarak saklayabiliyor ancak hız açısından genellikle geride kalıyor. PoX, bu farkı ortadan kaldırarak her iki dünyanın en iyi yönlerini bir araya getiriyor.
PoX’un bu olağanüstü performansına ulaşmasının arkasında, klasik silikon yerine grafen bazlı malzeme kullanılması yatıyor. Fudan Üniversitesi’nden araştırmacılar, Dirac bant yapısı ve "süper enjeksiyon" adı verilen bir mekanizmayla neredeyse sınırsız yük akışı sağlamayı başardı. Bu yöntem, grafik tabanlı yapıların balistik taşıma özelliklerinden yararlanılarak geliştirildi.
AI modelleri büyüdükçe, işlem gücünün yanında veriye hızlı ve verimli erişim ihtiyacı da artıyor. PoX, yalnızca hız değil, aynı zamanda düşük enerji tüketimi avantajı da sunarak büyük veri kümelerinin gerçek zamanlı işlenmesini mümkün kılıyor. Bu, yapay zeka donanımında sıklıkla karşılaşılan enerji ve hız darboğazlarını aşmak için umut verici bir adım.
Kaynak: İstanbul Ticaret Gazetesi
Yeni cihaz saniyede 25 milyar işlem gerçekleştirebiliyor ve bu performansıyla benzer teknolojilerde önceki dünya rekorunu tam 10.000 kat geride bırakıyor. Bu gelişme, özellikle yapay zeka gibi yüksek işlem gücü ve veri aktarım hızına ihtiyaç duyan alanlar için kritik bir dönüm noktası olabilir.
Geleneksel statik ve dinamik RAM türleri hızlı olsalar da geçici yapıları nedeniyle güç kesintisinde veri kaybına yol açıyor. Flash bellekler ise verileri kalıcı olarak saklayabiliyor ancak hız açısından genellikle geride kalıyor. PoX, bu farkı ortadan kaldırarak her iki dünyanın en iyi yönlerini bir araya getiriyor.
PoX’un bu olağanüstü performansına ulaşmasının arkasında, klasik silikon yerine grafen bazlı malzeme kullanılması yatıyor. Fudan Üniversitesi’nden araştırmacılar, Dirac bant yapısı ve "süper enjeksiyon" adı verilen bir mekanizmayla neredeyse sınırsız yük akışı sağlamayı başardı. Bu yöntem, grafik tabanlı yapıların balistik taşıma özelliklerinden yararlanılarak geliştirildi.
AI modelleri büyüdükçe, işlem gücünün yanında veriye hızlı ve verimli erişim ihtiyacı da artıyor. PoX, yalnızca hız değil, aynı zamanda düşük enerji tüketimi avantajı da sunarak büyük veri kümelerinin gerçek zamanlı işlenmesini mümkün kılıyor. Bu, yapay zeka donanımında sıklıkla karşılaşılan enerji ve hız darboğazlarını aşmak için umut verici bir adım.
Kaynak: İstanbul Ticaret Gazetesi
YORUMLAR